NGTB75N60SWG
onsemi
Deutsch
Artikelnummer: | NGTB75N60SWG |
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Hersteller / Marke: | AMI Semiconductor/onsemi |
Teil der Beschreibung.: | IGBT 75A 600V TO-247 |
Datenblätte: |
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RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) | 600 V |
VCE (on) (Max) @ Vge, Ic | 2V @ 15V, 75A |
Testbedingung | 400V, 75A, 10Ohm, 15V |
Td (ein / aus) bei 25 ° C | 110ns/270ns |
Schaltenergie | 1.5mJ (on), 1mJ (off) |
Supplier Device-Gehäuse | TO-247-3 |
Serie | - |
Rückwärts-Erholzeit (Trr) | 80 ns |
Leistung - max | 595 W |
Verpackung / Gehäuse | TO-247-3 |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Paket | Tube |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Eingabetyp | Standard |
IGBT-Typ | - |
Gate-Ladung | 310 nC |
Strom - Collector Pulsed (Icm) | 200 A |
Strom - Kollektor (Ic) (max) | 100 A |
Grundproduktnummer | NGTB75 |
NGTB75N60SWG Einzelheiten PDF [English] | NGTB75N60SWG PDF - EN.pdf |
IGBT TRENCH FIELD STOP
NGTB75N65FL2W ON
ON TO-247
IGBT TRENCH 650V 140A TO247
IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE
ON TO-247
IGBT TRENCH/FS 650V 100A TO247-3
IR TO-247
ON TO-247
DIODE GEN PURP 1.2KV DIE
IGBT 600V 120A 298W TO247
IGBT FIELD STOP 650V 200A TO247
ON TO-247
DIODE GEN PURP 1.2KV DIE
IGBT TRENCH/FS 650V 100A TO247
IGBT FIELD STOP 650V 100A TO247
IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE
IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE
IGBT 600V 75A TO247
2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() NGTB75N60SWGonsemi |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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